钨铜电子封装材料

产品介绍

在电子信息产业高速发展的当下，电子封装技术作为保障电子器件性能与可靠性的关键环节，面临着器件集成度提升、功率密度增大带来的散热、热应力匹配等诸多挑战。钨铜合金凭借其独特的性能优势，成为电子封装领域的理想材料，其中钨铜电子封装材料更是发挥着不可替代的作用。

钨铜合金是一种由 6～50%（重量比）的铜与钨组成的复合材料，巧妙融合了钨和铜的优良特性。钨具有高熔点、低热膨胀率的特点，而铜则具备优异的导电导热性能。这种特性组合使得钨铜电子封装材料在面对电子器件运行时产生的高热量时，展现出强大的应对能力。当电子器件工作时，尤其是像 IGBT 模块、RF 功率放大器、LED 芯片这类高功率器件，会产生大量热量，若不能及时有效散热，将严重影响器件性能与寿命。钨铜电子封装材料凭借铜的高热导率，能够迅速将热量传递出去，同时利用钨低热膨胀率的特性，与硅、陶瓷等半导体材料实现良好的热膨胀匹配，有效降低热应力，避免因热膨胀系数不匹配导致的封装结构开裂、器件失效等问题。

产品应用

● 电子设备散热器件。

● 高性能引线框架。

● 热控装置的热控板和散热器等。

● 微波、激光、射频、光通讯等大功率器件。

产品规格

钨铜复合材料化学成分与物理机械性能

牌号	化学成分（重量%）			密度	硬度	电阻率	导电率	抗弯强度
	Cu	杂质总和	W	g/cm³	布氏HB Kgf/mm²	μΩ.cm	%IACS	MPa
WCu50	50±1	≤0.5	余量	≥11.85	≥115	≤3.2	≥54	--
WCu45	45±1	≤0.5	余量	≥12.30	≥125	≤3.5	≥49	--
WCu40	40±1	≤0.5	余量	≥12.75	≥140	≤3.7	≥47	--
WCu35	35±1	≤0.5	余量	≥13.30	≥155	≤3.9	≥44	--
WCu30	30±1	≤0.5	余量	≥13.80	≥175	≤4.1	≥42	≥790
WCu25	25±1	≤0.5	余量	≥14.50	≥195	≤4.5	≥38	≥885
WCu20	20±1	≤0.5	余量	≥15.15	≥220	≤5.0	≥34	≥980
WCu15	15±1	≤0.5	余量	≥15.90	≥240	≤5.7	≥30	≥1080
WCu10	10±1	≤0.5	余量	≥16.75	≥260	≤6.5	≥27	≥1160

钨铜复合材料热性能

材料组分(wt%）	WCu10	WCu15	WCu20	WCu25	WCu30
热导率(W/m·K)	>170	>180	>190	>200	>210
热膨胀系数(×10^-6/K)	6.2~6.8	6.9~7.5	7.5~8.0	8.0~8.6	8.7~9.4